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量子點(diǎn)（quantum dot）是零維（zero-dimensional）的納米半導(dǎo)體材料。三個(gè)維度的尺寸都不大于其對應(yīng)的半導(dǎo)體材料的激子玻爾半徑的兩倍，的性能一般受量子限域效應(yīng)（quantum confinement effect）、表面效應(yīng)和摻雜的影響。具有新穎的電子和光學(xué)等性能，能夠用于許多重要的領(lǐng)域，比如電子、光電子、光伏、生物醫(yī)療。

特制紅/綠/藍(lán)QLED量子點(diǎn)溶液 濃度：~20mg/ml，溶劑：正辛烷（可定制不同溶劑、濃度） 直接用于旋涂工藝

ZnSe量子點(diǎn)是一種新型環(huán)?！熬G色”半導(dǎo)體納米材料，有效克服了Cd系量子點(diǎn)毒性大的缺點(diǎn)，作為寬帶隙半導(dǎo)體材料，ZnSe是制造藍(lán)綠波段半導(dǎo)體發(fā)光器件的重要材料。應(yīng)用*專有技術(shù)合成的ZnSe/ZnS量子點(diǎn)具有尺寸均勻，單分散性強(qiáng)，熒光量子產(chǎn)率高，穩(wěn)定性好，生物毒性低等優(yōu)異特性；可以廣泛應(yīng)用于藍(lán)光半導(dǎo)體光電器件、太陽能電池、生物標(biāo)記等領(lǐng)域。

由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應(yīng)明顯，消光系數(shù)大，發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見光范圍，并延伸至近紅外區(qū)域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點(diǎn)在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識別，以及太陽能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 應(yīng)用*專有技術(shù)合成的InP/ZnS量子點(diǎn)具有穩(wěn)定性好，熒光發(fā)射峰范圍廣，發(fā)光效率高，波長可調(diào)等諸多優(yōu)異特性。

近紅外量子點(diǎn)具有玻爾半徑大、禁帶寬度小、能量轉(zhuǎn)換率較高等特點(diǎn)，在光電器件、通訊、發(fā)光二極管、太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于其發(fā)射的近紅外波長具有很強(qiáng)的組織穿透性和低背景高分辨率的生物成像性能，因此還被廣泛應(yīng)用于生物領(lǐng)域。

上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米粒子主要是由氧化物、氟化物、鹵氧化物等基質(zhì)摻雜三價(jià)稀土離子（如Er3+ , Eu3+ , Yb3+ , Tm3+ , Ho3+ 等）得到，通過多光子機(jī)制將紅外光轉(zhuǎn)換成可見光，為反Stokes發(fā)光；具有發(fā)射譜線窄，壽命長，發(fā)光穩(wěn)定性好，不易受環(huán)境影響，生物毒性低，化學(xué)穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn)；廣泛應(yīng)用于生物熒光標(biāo)記和成像、激光器、太陽能電池、防偽技術(shù)等領(lǐng)域。